半導體測厚儀，特別是像E+H Metrology的MX 30系列這樣的高精度設(shè)備，其測量厚度范圍廣泛，可以滿足多種不同尺寸的晶圓測量需求。這類測厚儀通常用于測量SIC、GaN、GaAS、InP等半導體晶圓的厚度。具體來說，MX 30系列非接觸式單點晶圓測厚儀，例如MX 301型號，能夠測量直徑為50mm、75mm、100mm、150mm、200mm和300mm的晶圓。其厚度范圍根據(jù)晶圓直徑的不同而有所差異。例如，對于無框晶圓，其測量范圍可能是200\~1000μm或300\~1800μm；而對于鑲框晶圓，測量范圍可能達到0\~1100μm。測量精度方面，MX 30系列的厚度精度可以達到±0.5μm，分辨率高達10 nm，動態(tài)范圍達800μm。這樣的精度保證了測量結(jié)果的準確性和可靠性，滿足了半導體行業(yè)對高精度測量的需求?？偟膩碚f，半導體測厚儀能夠測量的厚度范圍廣泛，具體取決于晶圓的直徑和類型。同時，高精度的測量能力使得這類儀器在半導體制造和研發(fā)過程中發(fā)揮著不可或缺的作用。通過快速、準確地測量晶圓厚度，半導體測厚儀有助于提高生產(chǎn)效率、保證產(chǎn)品質(zhì)量，并推動半導體技術(shù)的不斷發(fā)展。